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元件参数资料
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参数目录40015
> ECH8652-TL-H MOSFET P-CH 12V 6A ECH8
型号:
ECH8652-TL-H
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
MOSFET P-CH 12V 6A ECH8
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
ECH8652-TL-H PDF
标准包装
3,000
系列
-
FET 型
2 个 P 沟道(双)
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
28 毫欧 @ 3A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
-
闸电荷(Qg) @ Vgs
11nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1000pF @ 6V
功率 - 最大
1.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SMD,扁平引线
供应商设备封装
8-ECH
包装
带卷 (TR)
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